Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4BOSA1, 1200 V, EconoPIM 7

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo IGBT
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

131,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 07 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 1131,65 €
2 - 4129,01 €
5 +116,11 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
244-5854
Referência do fabricante:
FP75R12KT4BOSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

7

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Encapsulado

EconoPIM

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

62.5 mm

Longitud

122mm

Altura

17mm

Serie

FP75R12KT4B

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 355 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.

Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)

Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V

Tensión de saturación del emisor-colector 2,15 V

Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA

Links relacionados