Módulo IGBT, FS150R12KT3BOSA1, 200 A, 1200 V 6

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

208,13 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 7 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 1208,13 €
2 - 2203,97 €
3 +183,57 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
244-5404
Referência do fabricante:
FS150R12KT3BOSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

200 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Disipación de Potencia Máxima

700 W

Número de transistores

6

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Links relacionados