Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6
- Código RS:
- 244-5407
- Referência do fabricante:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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1 323,47 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 10 + | 132,347 € | 1 323,47 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5407
- Referência do fabricante:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 750 W | |
| Número de transistores | 6 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 750 W | ||
Número de transistores 6 | ||
El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 300 A y una tensión de saturación de colector-emisor de 2,10 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.
Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,35 NF
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,35 NF
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