Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6

El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 300 A y una tensión de saturación de colector-emisor de 2,10 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.

Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,35 NF