IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30
- Código RS:
- 241-0724
- Referência do fabricante:
- FGH4L40T120LQD
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 241-0724
- Referência do fabricante:
- FGH4L40T120LQD
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 153 W | |
| Número de transistores | 30 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 153 W | ||
Número de transistores 30 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
El IGBT de parada de campo de 1200 V y 40 A de ON Semiconductor. Este IGBT utiliza un diodo encapsulado de conmutación rápida que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de conmutación dura en las que EON, IRRM y trr son factores importantes que determinan las pérdidas. Los IGBT de parada de campo ultra ofrecen excelentes pérdidas de conmutación para dispositivos de baja pérdida de conducción.
Baja VCE(SAT) 1,55 V a 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40 A
EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A
IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40 A
EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A
IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A
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