IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30

Ver tudo IGBT
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
241-0723
Referência do fabricante:
FGH4L40T120LQD
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

153 W

Número de transistores

30

Tipo de Encapsulado

TO-247

El IGBT de parada de campo de 1200 V y 40 A de ON Semiconductor. Este IGBT utiliza un diodo encapsulado de conmutación rápida que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de conmutación dura en las que EON, IRRM y trr son factores importantes que determinan las pérdidas. Los IGBT de parada de campo ultra ofrecen excelentes pérdidas de conmutación para dispositivos de baja pérdida de conducción.

Baja VCE(SAT) 1,55 V a 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40 A
EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A
IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A

Links relacionados