onsemi IGBT, 1200 V, TO-247, 4 pines Superficie

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Código RS:
241-0723
Referência do fabricante:
FGH4L40T120LQD
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

153W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

FGH4L40T120LQD

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.2mm

Anchura

22.7 mm

Longitud

15.8mm

Estándar de automoción

No

El IGBT de parada de campo de 1200 V y 40 A de ON Semiconductor. Este IGBT utiliza un diodo encapsulado de conmutación rápida que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de conmutación dura en las que EON, IRRM y trr son factores importantes que determinan las pérdidas. Los IGBT de parada de campo ultra ofrecen excelentes pérdidas de conmutación para dispositivos de baja pérdida de conducción.

Baja VCE(SAT) 1,55 V a 40 A

EON 1,04 mJ a 600 V/40 A

EOFF 1,35 mJ a 600 V/40 A

IRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A

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