onsemi IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie
- Código RS:
- 241-0738
- Referência do fabricante:
- FGHL75T65MQDTL4
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,62 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,62 € |
| 10 - 99 | 4,84 € |
| 100 + | 4,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 241-0738
- Referência do fabricante:
- FGHL75T65MQDTL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Encapsulado | TO-247-4LD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 20.82 mm | |
| Altura | 4.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Serie | FGHL75T65MQDTL4 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Encapsulado TO-247-4LD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 20.82 mm | ||
Altura 4.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Serie FGHL75T65MQDTL4 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de velocidad de conmutación media FS4 de 650 V, 75 A de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación
Pérdidas de conducción bajas
Links relacionados
- IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL75T65LQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL50T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT, FGHL75T65LQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT, FGHL75T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30