IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- Código RS:
- 241-0726
- Referência do fabricante:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
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- 241-0726
- Referência do fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 15V | |
| Número de transistores | 30 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 268 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4LD | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 15V | ||
Número de transistores 30 | ||
Disipación de Potencia Máxima 268 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-4LD | ||
El IGBT de alta velocidad 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece el rendimiento óptimo al equilibrar pérdidas Vce(sat) y Eoff y sobreimpulso Vce de desconexión controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas
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