IGBT, FGH40T120SQDNL4, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple

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Código RS:
178-4321
Referência do fabricante:
FGH40T120SQDNL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

160 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

454 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

4

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Capacitancia de puerta

5000pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origem):
CN

On Semiconductor IGBT


On Semiconductor es un transistor de montaje en orificio pasante IGBT−247−4L de canal P. Tiene una corriente nominal máxima de 160A y una tensión nominal máxima de 1200V. Este IGBT es un dispositivo robusto y rentable que proporciona un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes. Ofrece voltaje bajo en estado y una pérdida de conmutación mínima. En este dispositivo se incorpora un diodo de rueda libre de CO−suave y rápido con una tensión de avance baja.

Características y ventajas


• Rentable
• trinchera extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
• dispositivo sin haluro
• Alta durabilidad
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• Optimizado para conmutación de alta velocidad
• dispositivo sin Pb
• diodo de recuperación de retroceso rápido suave
• TJmax es de 175 °C.

Aplicaciones


• inversores solares
• UPS
• Soldadura

Certificaciones


• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007

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