IGBT, IGB50N65H5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-263, 3-Pines 1

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Opções de embalagem:
Código RS:
218-4390
Referência do fabricante:
IGB50N65H5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Tipo de Encapsulado

TO-263

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.

Diseño de mayor densidad de potencia
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave

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