Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie 1
- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Longitud 10.31mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.
Diseño de mayor densidad de potencia
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave
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