IGBT, IGB50N65H5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-263, 3-Pines 1
- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 270 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 270 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.
Diseño de mayor densidad de potencia
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave
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