Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie 1
- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-4389
- Referência do fabricante:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.
Diseño de mayor densidad de potencia
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave
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