IGBT, IGB50N65S5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO263, 3-Pines 1 Simple

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1 070,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Em stock
  • Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +1,07 €1 070,00 €

*preço indicativo

Código RS:
226-6062
Referência do fabricante:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

30V

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

PG-TO263

Configuración

Único

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El Infineon IGB50N65S es un IGBT de 50 A con diodo antiparalelo sin necesidad de componente de fijación de puerta. En estas características de caída de corriente suave sin corriente de cola y es excelente para conexión en paralelo.

VCEsat muy bajo de 1,35 V a 25 °C.
Temperatura de unión máxima TVJ 175°C.
cuatro veces la corriente nominal

Links relacionados

Recently viewed