IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, 30 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6647
- Referência do fabricante:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,932 € | 932,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6647
- Referência do fabricante:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 105 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 30 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 105 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación de alta velocidad con encapsulado con diodo antiparalelo Rapid 1 de corriente nominal completa también tiene tensión de ruptura 650v.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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