IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1 295,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 4000 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +1,295 €1 295,00 €

*preço indicativo

Código RS:
215-6654
Referência do fabricante:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

79 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20 V, ±30 V

Disipación de Potencia Máxima

230 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO263-3

Conteo de Pines

3

El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.

Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética

Links relacionados