Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
215-6655
Referência do fabricante:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

79A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.35V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

High Speed Fifth Generation

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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