Infineon CI de transistor único IGBT, 28 A, 650 V, TO-220
- Código RS:
- 242-0979
- Referência do fabricante:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 500 unidades)*
643,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 500 + | 1,286 € | 643,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 242-0979
- Referência do fabricante:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 28A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | 5th Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 28A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie 5th Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT Infineon de 650 V, 28 A con diodo antiparalelo en encapsulado TO-220. Dispone de alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de tiempo de comercialización más rápidos, reducción de complejidad de diseño de circuitos y optimización de costes de material de PCB.
Dispositivo de conmutación suave de alta velocidad para conmutación dura y suave
175 °C temperatura de unión máxima
Sin necesidad de componentes de sujeción de puerta
Links relacionados
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKP28N65ES5XKSA1, 28 A, 650 V, TO-220
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 25 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKA10N65ET6XKSA2, Tipo N-Canal, 25 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Superficie
