Infineon CI de transistor único IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
215-6648
Referência do fabricante:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

105W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.65V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación de alta velocidad con encapsulado con diodo antiparalelo Rapid 1 de corriente nominal completa también tiene tensión de ruptura 650v.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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