Infineon CI de transistor único IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 215-6648
- Referência do fabricante:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6648
- Referência do fabricante:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 105W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 105W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación de alta velocidad con encapsulado con diodo antiparalelo Rapid 1 de corriente nominal completa también tiene tensión de ruptura 650v.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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