STMicroelectronics IGBT, STGWA40IH65DF, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 202-5519
- Referência do fabricante:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5519
- Referência do fabricante:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 238W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 238W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT STMicroelectronics de conmutación suave de la serie IH se ha desarrollado usando una Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench patentada, cuyo rendimiento se optimiza tanto en pérdidas de conducción como de conmutación para conmutación suave.
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
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