IGBT, STGWA50HP65FB2, N-Canal, 86 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 204-3943
- Referência do fabricante:
- STGWA50HP65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,74 € | 52,20 € |
| 120 - 240 | 1,444 € | 43,32 € |
| 270 - 480 | 1,406 € | 42,18 € |
| 510 - 990 | 1,369 € | 41,07 € |
| 1020 + | 1,336 € | 40,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-3943
- Referência do fabricante:
- STGWA50HP65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 86 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 272 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 86 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 272 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT STMicroelectronics serie HB2 de 650 V representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. Un diodo utilizado con fines de protección solo está co-encapsulado en antiparalelo con el IGBT. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.
Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
Diodo de protección encapsulado
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo
Diodo de protección encapsulado
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo
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