STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 202-5514
- Referência do fabricante:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
66,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,224 € | 66,72 € |
| 60 + | 2,113 € | 63,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5514
- Referência do fabricante:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 260W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 260W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie STG | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de la serie HB de alta velocidad de STMicroelectronics se ha desarrollado usando una estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
Links relacionados
- STMicroelectronics IGBT, STGWA30HP65FB, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 145 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 60 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 86 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz