STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 202-5514
- Referência do fabricante:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5514
- Referência do fabricante:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 260W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 260W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de la serie HB de alta velocidad de STMicroelectronics se ha desarrollado usando una estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
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