IGBT, STGWA100H65DFB2, 145 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 206-7206
- Referência do fabricante:
- STGWA100H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
132,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 4,428 € | 132,84 € |
| 120 - 240 | 3,928 € | 117,84 € |
| 270 - 480 | 3,826 € | 114,78 € |
| 510 - 990 | 3,728 € | 111,84 € |
| 1020 + | 3,635 € | 109,05 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 206-7206
- Referência do fabricante:
- STGWA100H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 145 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 441 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 145 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 441 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 100 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 100 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 100 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Links relacionados
- IGBT, STGWA100H65DFB2, 145 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, STGWA20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, FGHL50T65SQ, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, STGWA75H65DFB2, 115 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, IKW40N65H5FKSA1, N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- IGBT, IGW40N65F5FKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- IGBT, IKW75N65EL5XKSA1, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple