onsemi IGBT, FGAF40S65AQ, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 185-8956
- Referência do fabricante:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-8956
- Referência do fabricante:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free and is RoHS | |
| Longitud | 19.1mm | |
| Energía nominal | 325mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie Trench | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free and is RoHS | ||
Longitud 19.1mm | ||
Energía nominal 325mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- KR
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Maximum junction temperature : TJ = 175°C
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
Fast switching
Tightened parameter distribution
IGBT with monolithic reverse conducting diode
Applications
Consumer Appliances
PFC, Welder
Industrial application
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