IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 185-7999
- Referência do fabricante:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-7999
- Referência do fabricante:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 94 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PF | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Energía nominal | 325mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 2590pF | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 94 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PF | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.7 x 5.7 x 24.7mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Energía nominal 325mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 2590pF | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- KR
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Maximum junction temperature : TJ = 175°C
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
Fast switching
Tightened parameter distribution
IGBT with monolithic reverse conducting diode
Applications
Consumer Appliances
PFC, Welder
Industrial application
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
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Tightened parameter distribution
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Applications
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