AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 185-7972
- Referência do fabricante:
- AFGB40T65SQDN
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1 987,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Stock limitado
- Mais 2400 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,484 € | 1 987,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 185-7972
- Referência do fabricante:
- AFGB40T65SQDN
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 238 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| Energía nominal | 22.3mJ | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 2495pF | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 238 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
Energía nominal 22.3mJ | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 2495pF | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
Links relacionados
- AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple
- AEC-Q101 IGBT, FGB40T65SPD_F085, N-Canal, 40 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 2+Tab-Pines 1 Simple
- AEC-Q101 IGBT, FGB40T65SPD_F085, P-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 2+Tab-Pines 1 Simple
- AEC-Q101 IGBT, AFGHL40T65SPD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- AEC-Q101 IGBT, STGB20N45LZAG, N-Canal, 25 A, 475 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW60H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- IGBT, STGW40H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple