onsemi AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo IGBT

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

1 987,20 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Stock limitado
  • Mais 2400 unidade(s) para enviar a partir do dia 16 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
800 +2,484 €1 987,20 €

*preço indicativo

Código RS:
185-7972
Referência do fabricante:
AFGB40T65SQDN
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.65mm

Anchura

10.67 mm

Altura

4.06mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Energía nominal

22.3mJ

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não conforme

COO (País de Origem):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV

Links relacionados