onsemi AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 185-8642
- Referência do fabricante:
- AFGB40T65SQDN
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-8642
- Referência do fabricante:
- AFGB40T65SQDN
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 238W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Altura | 4.06mm | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Energía nominal | 22.3mJ | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 238W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 9.65mm | ||
Altura 4.06mm | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Energía nominal 22.3mJ | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
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