AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple

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Código RS:
185-8642
Referência do fabricante:
AFGB40T65SQDN
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

238 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.67 x 9.65 x 4.58mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

2495pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

22.3mJ

Estado RoHS: Não conforme

COO (País de Origem):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV

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