onsemi IGBT, FGAF40N60UFTU, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-3PF, 3 pines Orificio pasante, 130 ns

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Código RS:
759-9257
Referência do fabricante:
FGAF40N60UFTU
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Encapsulado

TO-3PF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

130ns

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

26.5mm

Altura

5.45mm

Anchura

23 mm

Serie

UF

Certificaciones y estándares

AEC, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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