IGBT, FGH75T65SHDTL4, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Subtotal (1 unidade)*

2,38 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 424 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
1 +2,38 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
181-1889
Referência do fabricante:
FGH75T65SHDTL4
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

3710pF

COO (País de Origem):
CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution

Links relacionados