IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- Código RS:
- 181-1866
- Referência do fabricante:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 181-1866
- Referência do fabricante:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 455 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | P | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 3710pF | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 455 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal P | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Energía nominal 160mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 3710pF | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
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