Infineon Módulo IGBT, IKW75N65SS5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO-247
- Código RS:
- 249-6948
- Referência do fabricante:
- IKW75N65SS5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
12,14 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 162 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,14 € |
| 5 - 9 | 11,54 € |
| 10 - 24 | 11,05 € |
| 25 - 49 | 10,56 € |
| 50 + | 9,83 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6948
- Referência do fabricante:
- IKW75N65SS5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 16.3mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 16.3mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT TRENCHSTOP 5S5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky SiCTMS de 6.ª generación. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C
Fuentes de alimentación industriales - SMPS industriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía - Almacenamiento de energía
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, 75 A, 650 V, PG-TO-247
- Infineon CI de transistor único IGBT, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon Módulo IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon Módulo IGBT, 40 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon Módulo IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon Módulo IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines