onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 181-1929
- Referência do fabricante:
- FGH75T65SQDNL4
- Fabricante:
- onsemi
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Disponibilidade limitada
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- Código RS:
- 181-1929
- Referência do fabricante:
- FGH75T65SQDNL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 4 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.43V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, Halide Free | |
| Serie | Field Stop IV | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 4 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.43V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, Halide Free | ||
Serie Field Stop IV | ||
Energía nominal 160mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
TJmax = 175°C
Improved Gate Control Lowers Switching Losses
Separate Emitter Drive Pin
TO-247-4L for Minimal Eon Losses
Optimized for High Speed Switching
These are Pb-Free Devices
Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies
Neutral Point Clamp Topology
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