IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple

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Código RS:
178-4259
Referência do fabricante:
FGH60T65SQD-F155
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

333 W

Tipo de Encapsulado

TO-247 G03

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Energía nominal

50mJ

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Capacitancia de puerta

3813pF

COO (País de Origem):
CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4. generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.

Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC

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