onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 178-4259
- Referência do fabricante:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
82,17 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- 390 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,739 € | 82,17 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-4259
- Referência do fabricante:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Encapsulado | TO-247 G03 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Field Stop 4th Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 50mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Encapsulado TO-247 G03 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Field Stop 4th Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 50mJ | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4.ª generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC
Links relacionados
- onsemi IGBT, FGH60T65SQD-F155, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- onsemi IGBT, FGH75T65SHDTL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- onsemi IGBT, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie
- onsemi IGBT, 650 V, TO-247-3L, 3 pines Superficie
- onsemi IGBT, 650 V, TO-247-4LD, 3 pines Superficie
- onsemi IGBT, FGH4L50T65SQD, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie
