IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, P-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple
- Código RS:
- 162-3324
- Referência do fabricante:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 15,94 € |
| 5 - 9 | 14,03 € |
| 10 - 24 | 13,07 € |
| 25 - 49 | 12,27 € |
| 50 + | 11,79 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 162-3324
- Referência do fabricante:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 938 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | P | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 20kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.9 x 5.1 x 21.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 4856pF | |
| Energía nominal | 10.8mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 938 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal P | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 20kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.9 x 5.1 x 21.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 4856pF | ||
Energía nominal 10.8mJ | ||
En respuesta al requisito del mercado para alojar cantidades cada vez mayores de silicio en encapsulados más pequeños y compactos, Infineon presenta el nuevo encapsulado TO-247PLUS para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico. TO-247PLUS tiene las mismas dimensiones externas que el TO-247 estándar industrial, pero debido a la ausencia del orificio de tornillo, permite hasta 75 A en 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A de valor nominal completo.
Alta densidad de potencia: IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
R th(jh) un 20 % inferior en comparación con TO-247 de 3 pines
Separación de contactos colector-emisor ampliada de 4,25 mm
Separación de pinza ampliada para un encapsulado completo de la parte frontal del encapsulado
Mayor densidad de potencia del sistema: aumento de I c que mantiene el mismo rendimiento térmico del sistema
Menor resistencia térmica R th(jh) y mejora del ∼15 % de capacidad de disipación de calor de TO-247PLUS frente a TO-247
Mayor fiabilidad y vida útil prolongada del dispositivo
R th(jh) un 20 % inferior en comparación con TO-247 de 3 pines
Separación de contactos colector-emisor ampliada de 4,25 mm
Separación de pinza ampliada para un encapsulado completo de la parte frontal del encapsulado
Mayor densidad de potencia del sistema: aumento de I c que mantiene el mismo rendimiento térmico del sistema
Menor resistencia térmica R th(jh) y mejora del ∼15 % de capacidad de disipación de calor de TO-247PLUS frente a TO-247
Mayor fiabilidad y vida útil prolongada del dispositivo
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