IGBT, FGH40T120SMD, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 124-1446
- Referência do fabricante:
- FGH40T120SMD
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 5,08 € | 152,40 € |
| 150 - 270 | 4,404 € | 132,12 € |
| 300 + | 4,212 € | 126,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 124-1446
- Referência do fabricante:
- FGH40T120SMD
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 555 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 555 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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