IGBT, FGH40T120SMD, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 124-1446
- Referência do fabricante:
- FGH40T120SMD
- Fabricante:
- onsemi
420 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 30)
6,032 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 30 - 120 | 6,032 € | 180,96 € |
| 150 - 270 | 5,23 € | 156,90 € |
| 300 + | 5,001 € | 150,03 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 124-1446
- Referência do fabricante:
- FGH40T120SMD
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
| Disipación de Potencia Máxima | 555 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 124-1446
- Referência do fabricante:
- FGH40T120SMD
- Fabricante:
- onsemi