onsemi IGBT, FGH60T65SQD-F155, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 178-4627
- Referência do fabricante:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4627
- Referência do fabricante:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Encapsulado | TO-247 G03 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Field Stop 4th Generation | |
| Energía nominal | 50mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Encapsulado TO-247 G03 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Field Stop 4th Generation | ||
Energía nominal 50mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4.ª generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC
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