Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie

Este módulo IGBT está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, combinando eficazmente dos transistores en configuración en serie. Funciona eficazmente en una gama de temperaturas de -40°C a +150°C. Con un tamaño compacto de 94 x 34 x 30,2 mm, este módulo es ideal para su integración en diversos sistemas industriales.

• La corriente de colector continua máxima nominal de 150 A garantiza un rendimiento fiable
• La tensión colector-emisor soporta hasta 1200 V para un uso robusto
• Las bajas pérdidas de conmutación mejoran la eficiencia energética global
• La placa base aislada mejora la gestión térmica y la fiabilidad
• El tipo de envase AG-34MM-1 simplifica la instalación en configuraciones montadas en panel

• Adecuado para accionamientos de motor en sistemas de automatización
• Se utiliza en sistemas de alimentación ininterrumpida para mejorar la fiabilidad
• Eficaz en la conmutación de alta frecuencia entre industrias
• Útil en convertidores electrónicos de potencia para un funcionamiento sin fisuras
• Funciona bien en conjunción con los marcos de automatización industrial

El módulo presenta una resistencia térmica de la unión a la carcasa de 0,19 K/W, esencial para mantener la eficiencia operativa. También admite ciclos de alimentación extensos con 300.000 ciclos especificados a una temperatura de unión de 125°C y un diferencial de temperatura de 50K.

Funciona eficazmente a una temperatura de unión máxima de 150 °C, lo que garantiza su durabilidad en aplicaciones exigentes al tiempo que mantiene un VCEsat bajo, que se ve reforzado por un coeficiente de temperatura positivo para un rendimiento estable.

Este módulo IGBT presenta una carga de puerta de 1,25μC, lo que permite tiempos de conmutación rápidos, facilitando las operaciones de alta frecuencia esenciales en las aplicaciones industriales modernas. También admite tensiones de emisor de puerta de ±20 V para un acondicionamiento flexible de la unidad.

Sí, sus sólidas especificaciones y su fiabilidad lo convierten en una opción viable para la electrónica de potencia en sistemas de automoción donde la alta eficiencia y la fiabilidad son primordiales.

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.