Infineon IGBT Doble, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 Chasis

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Código RS:
260-8887
Referência do fabricante:
FF50R12RT4HOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

285W

Número de transistores

2

Encapsulado

AG-34MM

Configuración

Doble

Tipo de montaje

Chasis

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT doble de Infineon es de 34 mm, 1.200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rápido y 4 diodos controlados por emisor. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo, es flexible, rendimiento eléctrico óptimo y máxima fiabilidad.

Temperatura de funcionamiento ampliada

Pérdidas de conmutación bajas

VCEsat bajo

Placa base aislada

Carcasa estándar

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