Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 54 A, 1200 V, AG-EASY2B-1 Abrazadera

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bandeja de 15 unidades)*

507,60 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Bandeja*
15 +33,84 €507,60 €

*preço indicativo

Código RS:
145-9419
Referência do fabricante:
FP35R12W2T4BOMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

54A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

215W

Encapsulado

AG-EASY2B-1

Tipo de montaje

Abrazadera

Tipo de canal

Tipo N

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

48 mm

Longitud

56.7mm

Altura

12mm

Certificaciones y estándares

ULapproved(E83335)

Serie

EasyPIM

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.

Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados