Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 275 A, 1200 V, AG-62MM-1 Abrazadera

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo IGBT

Subtotal (1 bandeja de 10 unidades)*

1 090,32 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 14 de fevereiro de 2028
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bandeja*
10 +109,032 €1 090,32 €

*preço indicativo

Código RS:
166-0898
Referência do fabricante:
FF200R12KS4HOSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

275A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

1400W

Encapsulado

AG-62MM-1

Tipo de montaje

Abrazadera

Tipo de canal

Tipo N

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

3.85V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Serie

FF200R12KS4

Longitud

106.4mm

Certificaciones y estándares

UL (E83335)

Altura

30.5mm

Anchura

61.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.

Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados