Referência do fabricante

IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1.200 V, AG-34MM 2

Código RS:: 260-8888
Referência do fabricante:: FF50R12RT4HOSA1
Fabricante:: Infineon

IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1.200 V, AG-34MM 2

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Código RS:: 260-8888
Referência do fabricante:: FF50R12RT4HOSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector	50 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	1.200 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Número de transistores	2
	Disipación de Potencia Máxima	285 W
	Configuración	Doble
	Tipo de Encapsulado	AG-34MM
	Tipo de Montaje	Montaje en panel

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector 50 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Número de transistores 2
	Disipación de Potencia Máxima 285 W
	Configuración Doble
	Tipo de Encapsulado AG-34MM
	Tipo de Montaje Montaje en panel

Datasheet - FF50R12RT4HOSA1

El módulo IGBT doble de Infineon es de 34 mm, 1.200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rápido y 4 diodos controlados por emisor. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo, es flexible, rendimiento eléctrico óptimo y máxima fiabilidad.

Temperatura de funcionamiento ampliada
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Placa base aislada
Carcasa estándar

IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1.200 V, AG-34MM 2

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