STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA30M65DF2AG, 87 A, 650 V, TO-247 LL, 3 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 330-470
- Referência do fabricante:
- STGWA30M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-470
- Referência do fabricante:
- STGWA30M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 87A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 441W | |
| Encapsulado | TO-247 LL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 19.92mm | |
| Altura | 21mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 87A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 441W | ||
Encapsulado TO-247 LL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 19.92mm | ||
Altura 21mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo suave y de recuperación muy rápida
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