IGBT, STGHU30M65DF2AG, 84 A, 650 V, HU3PAK, 7-Pines 1

Ver tudo IGBT

Subtotal (1 bobina de 600 unidades)*

1 426,80 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
600 +2,378 €1 426,80 €

*preço indicativo

Código RS:
285-637
Referência do fabricante:
STGHU30M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

84 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

441 W

Número de transistores

1

Configuración

Puerta doble

Tipo de Encapsulado

HU3PAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7

Este dispositivo de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución ajustada de los parámetros hacen que el funcionamiento en paralelo sea más seguro.

Temperatura máxima de unión TJ = 175 °C
6 μs de tiempo mínimo de resistencia al cortocircuito
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave y muy rápida
Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional

Links relacionados