MOSFET de potencia STMicroelectronics SCT027HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 60 A, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 330-233
- Referência do fabricante:
- SCT027HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-233
- Referência do fabricante:
- SCT027HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCT0 | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 3.5mm | |
| Longitud | 18.58mm | |
| Anchura | 14 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCT0 | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 3.5mm | ||
Longitud 18.58mm | ||
Anchura 14 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Cualificado AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia
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