SDRAM AS4C16M16SA-6TINTR, 256Mbit, 166MHZ, Montaje superficial, TSOP, 54 pines DDR
- Código RS:
- 230-8418
- Referência do fabricante:
- AS4C16M16SA-6TINTR
- Fabricante:
- Alliance Memory
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*preço indicativo
- Código RS:
- 230-8418
- Referência do fabricante:
- AS4C16M16SA-6TINTR
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 256Mbit | |
| Clase SDRAM | DDR | |
| Organización | 16M x 16 | |
| Transmisión de Datos | 166MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Ancho del Bus de Direcciones | 13bit | |
| Número de Bits de Palabra | 16bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 5ns | |
| Número de Palabras | 16 M | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | TSOP | |
| Conteo de Pines | 54 | |
| Dimensiones | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 22.35mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Ancho | 10.29mm | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 3 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 256Mbit | ||
Clase SDRAM DDR | ||
Organización 16M x 16 | ||
Transmisión de Datos 166MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Ancho del Bus de Direcciones 13bit | ||
Número de Bits de Palabra 16bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 5ns | ||
Número de Palabras 16 M | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado TSOP | ||
Conteo de Pines 54 | ||
Dimensiones 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 22.35mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3,6 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Ancho 10.29mm | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 3 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
La SDRAM Alliance Memory 256MB es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 256 Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 16 canal x 4M DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas
los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate, seguido por un comando Read o Write.
Tiempo de acceso rápido desde el reloj: 5/5,4 ns
Velocidad de reloj rápida: 166/143 MHz
Funcionamiento completamente síncrono
Arquitectura interna de canalización
4m canales x 16 bits x 4 bancos
Velocidad de reloj rápida: 166/143 MHz
Funcionamiento completamente síncrono
Arquitectura interna de canalización
4m canales x 16 bits x 4 bancos
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