Micron SDRAM MT41K256M16TW-107 IT:P, 4 Gb, Montaje superficial, FBGA 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 696-909
- Referência do fabricante:
- MT41K256M16TW-107 IT:P
- Fabricante:
- Micron
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- Código RS:
- 696-909
- Referência do fabricante:
- MT41K256M16TW-107 IT:P
- Fabricante:
- Micron
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Micron | |
| Tamaño de la memoria | 4Gb | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de líneas de bus | 15bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 933MHZ | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 13.91ns | |
| Número de palabras | 256 Meg | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Anchura | 8mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 14mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | MT41K | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.45V | |
| Corriente de suministro | 46mA | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.283V | |
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|---|---|---|
Marca Micron | ||
Tamaño de la memoria 4Gb | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de líneas de bus 15bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 933MHZ | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 13.91ns | ||
Número de palabras 256 Meg | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Anchura 8mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 14mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie MT41K | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 1.45V | ||
Corriente de suministro 46mA | ||
Tensión de alimentación mínima 1.283V | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La SDRAM DDR3 de Micron utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura prefetch 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los contactos de E/S. Una única operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR3 consiste en una única transferencia de datos de 8 n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo de DRAM interno y ocho transferencias de datos de n bits de un ciclo de medio reloj correspondientes en los contactos de E/S.
Temperatura de refrescamiento automático
Actualización automática
Registro multiusos
Conforme a RoHS