ISSI SDRAM IS43TR16256B-125KBLI, 256 MB, Superficie, BGA 16 bit, 96 pines

La SDRAM DDR3 de 4 Gb de ISSI admite funcionamiento de tensión estándar en VDD y VDDQ igual a 1,5 V ± 0,075 V y funcionamiento de baja tensión a 1,35 V +0,1 V −067 V con compatibilidad retroactiva a 1,5 V. Ofrece velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencias del sistema de hasta 1066 MHz y dispone de 8 bancos internos para funcionamiento simultáneo. Construido sobre una arquitectura de prefetch de 8 n bits, incluye latencia CAS programable, opciones de latencia aditiva programable de 0 CL-1 o CL-2 y latencia de escritura CAS programable CWL basada en tCK.

Interruptor BL en movimiento