ISSI SDRAM IS42S32400J-6BLI, 128 MB, Montaje superficial, BGA 32 bit, 90 pines

La SDRAM ISSI de 128 MB es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad diseñada para funcionar en sistemas de memoria VDD de 3,3 V y VDDQ de 3,3 V que contienen 134. 217. 728 bits. Configurada internamente como DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona. Cada banco de 33. 554. 432 bits está organizado en 4. 096 filas por 256 columnas por 32 bits. Todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son compatibles con LVTTL. La SDRAM de 128 MB tiene la capacidad de disparar datos sincrónicamente a una alta velocidad de datos con generación automática de direcciones de columna, la capacidad de intercalar entre bancos internos para ocultar el tiempo de recarga y la capacidad de cambiar aleatoriamente las direcciones de columna en cada ciclo de reloj durante el acceso de disparo.

Actualización automática (CBR)