MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 47 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-4814
Referência do fabricante:: IRLZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 47 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 919-4814
Referência do fabricante:: IRLZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	22mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	48nC
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.69 mm
	Altura	8.77mm
	Longitud	10.54mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.69 mm
	Altura 8.77mm
	Longitud 10.54mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 47 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRLZ44NPBF

Este MOSFET de canal N de alto rendimiento de Infineon está diseñado para una conmutación eficiente y un manejo de potencia sustancial en sistemas electrónicos. Gracias a su avanzada tecnología HEXFET, es apto para diversas aplicaciones de semiconductores, por lo que resulta idóneo para profesionales de la automatización, la electrónica y la ingeniería eléctrica que busquen un rendimiento sólido en la gestión de potencia.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 47 A para un suministro de energía eficaz

• Funciona con una tensión de drenaje-fuente de 55 V, lo que aumenta la versatilidad de las aplicaciones

• La disipación de potencia máxima de 110 W optimiza la gestión térmica

• El diseño del modo de mejora garantiza una conmutación y un control eficaces

• El umbral de tensión de puerta bajo, de 1 V a 2 V, facilita el control con una tensión de accionamiento mínima

• El manejo de alta corriente con una baja resistencia de encendido de 22mΩ mejora la eficiencia

Aplicaciones

• Circuitos de alimentación que requieren una conmutación eficiente de la carga

• Convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables

• Automoción alto rendimiento exigente

• Sistemas de control de motores para mejorar la eficacia operativa

• Sistemas de iluminación que requieren una regulación precisa de la potencia

¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento del dispositivo?

El dispositivo funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversas condiciones ambientales.

¿Cómo debe montarse para un rendimiento óptimo?

Está diseñado para montaje pasante en un encapsulado TO-220AB, lo que permite una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Se puede utilizar con otros componentes de gestión de energía?

Sí, es compatible con una amplia gama de componentes de conmutación y gestión de potencia, por lo que se adapta perfectamente a diversos diseños de circuitos.

¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?

Una tensión de umbral de puerta de 1V a 2V permite una conducción sencilla con niveles de señal estándar, lo que simplifica el diseño de circuitos y mejora la compatibilidad.

¿Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?

Con una baja carga de puerta de 48nC a 5V, soporta aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, contribuyendo a la eficiencia global en sistemas de potencia.