MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4898
- Referência do fabricante:
- IRLZ34NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4898
- Referência do fabricante:
- IRLZ34NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLZ34NPBF
Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para ofrecer eficiencia en diversas aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 30 A y puede manejar tensiones de drenaje-fuente de hasta 55 V. La capacidad de modo mejorado garantiza el funcionamiento en diversas condiciones, lo que lo convierte en un valioso componente para la gestión de la energía en distintos sectores.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión de 35mΩ reduce la pérdida de potencia
• La alta capacidad de disipación de potencia de 68 W mejora el rendimiento
• El rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C garantiza la versatilidad
• La carga de puerta típica de 25nC a 5V permite una conmutación más rápida
• El encapsulado compacto TO-220AB permite un diseño eficaz de la placa de circuito impreso
Aplicaciones
• Utilizados en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía
• Apropiado para circuitos de controladores de motor en automatización industrial
• Eficacia de los sistemas de gestión de la energía renovable
• Utilizado en conmutación de alta velocidad para las telecomunicaciones
¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente?
El dispositivo puede soportar una tensión puerta-fuente máxima de ±16 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro en diversos circuitos.
¿Cómo afecta la temperatura a su rendimiento?
El MOSFET funciona eficientemente en un rango de temperaturas de -55°C a +175°C, manteniendo la estabilidad en condiciones extremas.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, está diseñado con una carga de puerta típica de 25nC a 5V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia como amplificadores de RF.
¿Qué implicaciones tiene una Rds(on) baja?
Un valor Rds(on) más bajo reduce significativamente la generación de calor y las pérdidas de potencia, mejorando la eficiencia global en los diseños de fuentes de alimentación.
¿Es compatible con varios circuitos electrónicos?
Este dispositivo es versátil y puede integrarse en distintas configuraciones de circuitos, incluida la electrónica de potencia industrial y de automoción.
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