MOSFET Vishay, N-Canal IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 919-4498
- Referência do fabricante:
- IRFD110PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 919-4498
- Referência do fabricante:
- IRFD110PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 1 A | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 4 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 2.5 V | |
| Altura | 3.37 mm | |
| Longitud | 5 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 540 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 1.3 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | IRFD | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 8.3 nC | |
| Anchura | 6.29 mm | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 100 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 1 A | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 4 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 2.5 V | ||
Altura 3.37 mm | ||
Longitud 5 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 540 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 1.3 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie IRFD | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 8.3 nC | ||
Anchura 6.29 mm | ||
- COO (País de Origem):
- PH
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• Package with low thermal resistance
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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