MOSFET Vishay, Tipo P-Canal IRFD9120PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
178-0917
Referência do fabricante:
IRFD9120PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

100 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

1 A

Encapsulado

HVMDIP

Modo de canal

Mejora

Número de pines

4

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Altura

3.37 mm

Longitud

5 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

600 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V, -20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

1.3 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Anchura

6.29 mm

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1" pin centres.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

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