MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8673
- Referência do fabricante:
- IRFD020PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8673
- Referência do fabricante:
- IRFD020PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 0.330in | |
| Longitud | 0.29in | |
| Anchura | 0.425 in | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 0.330in | ||
Longitud 0.29in | ||
Anchura 0.425 in | ||
Certificaciones y estándares RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP-4 de canal N que es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Compacto, apilable en los extremos
• Facilidad de conexión en paralelo
• Excelente estabilidad de temperatura
• Cambio rápido
• Para inserción automática
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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